핀펫(FinFET) 트랜지스터는 채널의 3면을 감싸는 구조로 기존 평면형 트랜지스터보다 성능이 뛰어나지만 5나노미터 미만으로 미세화하기 어렵다는 한계가 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해 등장한 것이 게이트-올-어라운드(Gate-All-Around) 모스펫이다. 이른바 GAA 트랜지스터는 게이트가 채널을 전방위에서 감싸기 때문에 통제력이 강하다. 때문에 5나노미터 아래 공정에서도 채널의 누설 전류를 줄이고 전력 소모를 감소시킬 수 있다. GAA 구조 중에서 특히 선호되는 형태는 나노시트로 같은 면적에서 더 많은 구동 전류를 제공해 효율이 높다.
